Skip to main content

айфон 15 про

Apple впервые использует новую, более плотную форму памяти в своих iPhone: при разборе было обнаружено использование новых сверхплотных микросхем DRAM D1b LPDDR5 от Micron в iPhone 15 Pro.

Помимо усовершенствования функций, развитие технологий со временем приводит к уменьшению размеров компонентов. Что касается моделей iPhone 15 Pro, которые уже имеют немного меньший размер, чем в прошлом году, похоже, объем памяти внутри смартфонов также уменьшается.

При разборе iPhone 15 Pro компанией TechInsights был обнаружен чип DRAM Micron D1b LPDDR5 емкостью 16 ГБ, в котором использовался кристалл Y52P. Использование технологии D1b DRAM позволяет получить более плотный чип.

Технологии более плотных микросхем памяти, как и процессоры, позволяют упаковать больше в меньшее пространство, а это означает, что чипы могут быть изготовлены с теми же возможностями, что и предыдущие поколения, но в уменьшенном форм-факторе. Это также может позволить создавать более сложные конструкции чипов на аналогичной площади.

Память Micron D1b обнаружена в iPhone 15 Pro [TechInsights]

Память Micron D1b обнаружена в iPhone 15 Pro [TechInsights]

Для таких компаний, как Apple, более плотный чип означает, что они могут разместить больше памяти в таком устройстве, как iPhone, не жертвуя при этом пространством на материнской плате или внутренней емкостью. Это также означает, что можно сэкономить место, которое можно использовать для других целей, например, для увеличения емкости аккумулятора или других чипов.

Технология Micron D1b DRAM отличается от технологии экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUVL), используемой конкурентами Samsung и SK Hynix, и базовой технологии для перехода на уровни менее 15 нанометров. Micron успешно производит чипы D1z, D1a и D1b без EUVL, что в отчете считается «не чем иным, как впечатляющим».

Когда в ноябре 2022 года Micron объявила, что D1b LPDDR5X будет поставлять образцы производителям смартфонов, она заявила, что возможна скорость до 8,5 Гбит/с. При емкости 16 Гбит на кристалл узел также обеспечил улучшение битовой плотности на 35% и повышение энергоэффективности на 15% по сравнению с предыдущим узлом.