Аналитик Минг-Чи Куо указал опубликовал сегодня в Твиттере, что общедоступная дорожная карта для кремниевых процессов TSMC указывает, что ее 3-нанометровые и 4-нанометровые фабрики не будут доступны для массового производства до 2023 года.
Это еще один признак того, что чип A16, поставляемый с iPhone 14, продолжит использовать 5-нанометровый техпроцесс. Это помимо того факта, что мы считаем, что только более дорогие модели iPhone 14 будут иметь чип A16 внутри; базовые модели продолжат использовать чип A15.
Это утверждение было ранее сделанный ShrimpApplePro в Твиттере.
Придерживаясь одного и того же уровня изготовления, как правило, ограничивается возможный прирост производительности и энергоэффективности для этого поколения. Тем не менее, чип A15 по-прежнему обеспечивает разумное повышение производительности и эффективности примерно на 10% по сравнению с чипом A14, а также использует тот же 5-нм узел.
Куо был довольно пессимистичен в отношении дорожной карты Apple по обновлению чипов в целом. Он также сказал, что новый MacBook Air следующего поколения, который будет анонсирован этой осенью, будет по-прежнему использовать тот же чип M1, что и текущая модель. Более быстрый и действительно более продвинутый чип M2 может появиться не раньше следующего года.
Конечно, Apple может внести лишь незначительные изменения в текущий чип и использовать другое имя, например M2, для продажи сока в маркетинговых целях.
Для чипа iPhone нетипично использовать один и тот же размер процесса в течение трех лет подряд. Чипы Apple, как правило, были на переднем крае перехода узлов процесса, что было одним из ключевых способов, благодаря которым они могли оставаться впереди конкурентов, когда речь шла о производительности. Тем не менее, похоже, что в этом году именно TSMC — партнер Apple по производству кремниевых микросхем — не может расширить технологические границы, возможно, из-за продолжающейся нехватки микросхем.
Также маловероятно, что какие-либо другие фабрики по производству смартфонов также смогут предложить в этом году производство по технологии менее 5 нм.
